IGBT RM60DZ-H

Описание IGBT RM60DZ-H

IGBT RM60DZ-H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокая скорость переключения) и биполярного транзистора (низкое падение напряжения в открытом состоянии).

Модуль используется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных сварочных аппаратах
• Солнечных инверторах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток (I_C) | 60 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 120 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 60 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Входная емкость (C_ies) | 5200 пФ |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• RM60DZ-H (основная маркировка производителя)
• RM60DZH (вариант написания)

Совместимые/аналогичные модели:

• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA60N65SMD (ON Semiconductor, 650V, 60A)
• HGTG20N60A4D (Fairchild, 600V, 40A, менее мощный аналог)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics, 650V, 60A)

Примечания по замене

При выборе аналога учитывайте:

• Напряжение V_CES (должно быть не менее 600 В)
• Ток I_C (рекомендуется ≥60 А)
• Корпус и схему подключения (TO-247 или аналогичный)

Если требуется более высокая надежность в высокочастотных схемах, можно рассмотреть IGBT с технологией TrenchGate (Infineon) или Field Stop (STMicroelectronics).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточняйте!