IGBT SKD160/12

Описание IGBT модуля SKD160/12

SKD160/12 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в стандартном корпусе, предназначенный для использования в силовой электронике, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других высоковольтных/высокотоковых приложениях. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и антипараллельные диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 160 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 320 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Температура корпуса (T_c) | -40°C ... +125°C | | Тип корпуса | Стандартный модуль (например, SEMIPACK) | | Схема подключения | Два IGBT с антипараллельными диодами (полумостовая конфигурация) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. SKM160GB12T4 (SEMIKRON)
2. FF200R12KE3 (Infineon)
3. CM150DY-12H (Mitsubishi)
4. MG150Q1US41 (Toshiba)
5. BSM160GB120DLC (ABB)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• SKD100/12 (на 100 А)
• SKD200/12 (на 200 А)
• SKD160/16 (на 1600 В)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в схемотехнике. Для точного подбора аналога используйте даташиты (например, от Semikron, Infineon, Mitsubishi).

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или применению – уточните детали!