IGBT SKM100GB174D

Описание IGBT модуля SKM100GB174D

SKM100GB174D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзистор и антипараллельный диод, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Основные технические характеристики

Общие параметры:

• Производитель: SEMIKRON
• Тип модуля: IGBT + диод (DUAL)
• Корпус: SEMiX 2

Параметры IGBT:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 100 А (при 25°C)
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 200 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,5 В (при 100 А)
• Мощность рассеивания (P_tot): 500 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1700 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Импульсный прямой ток (I_FSM): 200 А

Динамические характеристики:

• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~300 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Тепловое сопротивление переход-среда (R_th(j-a)): 0,50 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера SEMIKRON:

• SKM100GB173D (аналог с V_CES = 1200 В)
• SKM100GB176D (аналог с V_CES = 2000 В)
• SKM75GB174D (75 А, 1700 В)
• SKM150GB174D (150 А, 1700 В)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF100R17KE4
• Mitsubishi: CM100DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-170

Заключение

SKM100GB174D – мощный и надежный IGBT-модуль, подходящий для высоковольтных приложений. Его можно заменить на аналоги от других производителей с похожими характеристиками.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните запрос!