IGBT SKM50GB101D

Описание IGBT модуля SKM50GB101D

SKM50GB101D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от SEMIKRON, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль имеет двухключевую структуру (Half-Bridge) и обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | Half-Bridge (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 60 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | SEMiX 2 (изолированный) | | Вес | ~70 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM50GB063D (600 В, 50 А)
• SKM50GB128D (1200 В, 50 А)
• SKM75GB101D (1000 В, 75 А)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4 (1200 В, 50 А)
• Fuji Electric: 2MBI50U-101 (1000 В, 50 А)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (600 В, 50 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль SKM50GB101D обладает высокой перегрузочной способностью и хорошей термостабильностью, что делает его популярным в промышленных и энергетических приложениях.

Если нужна дополнительная информация, пишите!