IGBT SKM75GB100D

Описание и технические характеристики IGBT SKM75GB100D

SKM75GB100D — это модуль IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі SEMiX™, розроблений компанією Semikron. Він призначений для високоефективних силових застосувань, таких як:

• Частотні перетворювачі
• Інвертори
• Двигуноприводи
• Системи безперебійного живлення (UPS)
• Промислові та автомобільні застосування

Модуль інтегрує IGBT-транзистори з антипаралельними діодами, що забезпечує високу стійкість до навантажень і компактність конструкції.

Основні технічні характеристики

| Параметр | Значення |
|----------|---------|
| Максимальна напруга колектор-емітер (V_CES) | 1000 В |
| Номінальний струм колектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Імпульсний струм (I_CM) | 150 А |
| Потужність (P_tot) | 300 Вт |
| Напруга насичення (V_CE(sat)) | 2,1 В (типове) |
| Час включення (t_on) | 35 нс |
| Час виключення (t_off) | 200 нс |
| Термічний опір (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Діапазон робочих температур | -40°C до +150°C |
| Корпус | SEMiX™ (з ізольованою основою) |

Парт-номери та сумісні моделі

Прямі аналоги та альтернативи:

• SKM75GB128D (1200 В, 75 А)
• SKM100GB100D (1000 В, 100 А)
• SKM50GB100D (1000 В, 50 А)
• SKM75GB12T4 (1200 В, 75 А, новіша версія)

Сумісні модулі від інших виробників:

• Infineon FF75R12RT4
• Mitsubishi CM75DY-12H
• Fuji Electric 2MBI75U4B-100

Додаткові варіанти заміни (перевіряти розведення контактів!):

• SKM75GB063D (600 В, 75 А)
• SKM75GB066D (650 В, 75 А)

Примітки

• Модуль має вбудовані швидкі діоди для роботи в інверторних схемах.
• Рекомендується використовувати з термопастою та радіатором для ефективного тепловідведення.
• Перед заміною аналогом перевіряйте розведення виводів та електричні параметри.

Якщо потрібна допомога у виборі аналога або схема застосування — пишіть!