IGBT SMD-8

Описание IGBT SMD-8

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) SMD-8 – это силовой транзистор в компактном SMD-корпусе, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в импульсных схемах. Применяется в инверторах, импульсных блоках питания, электроприводах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Тип корпуса: SMD-8 (8-выводной)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В, 1200 В (в зависимости от модели)
• Ток коллектора (I_C): 10–50 А (зависит от модификации)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1.5–2.5 В
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 50–150 Вт
• Температура перехода (T_j): -40…+150 °C
• Входная емкость (C_ies): 1000–3000 пФ
• Время включения (t_on): 20–100 нс
• Время выключения (t_off): 50–200 нс

Парт-номера и совместимые модели

Основные парт-номера:

• Infineon: IKW40N60T, IKW50N60T
• STMicroelectronics: STGW40H60DF, STGD10NC60K
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD, FGH60N60SMD
• Fairchild (ON Semi): FGA25N120ANTD
• Mitsubishi (Renesas): CM600HA-24H

Совместимые аналоги:

• IRGB4062DPBF (International Rectifier)
• HGTG20N60A4D (Microsemi)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS)
• APT50GF60B2 (Microchip)

Альтернативы в других корпусах (с проверкой распиновки!):

• TO-247: IRG4PC50U, FGA25N120ANTD
• TO-220: IRG4BC20U, STGP10NC60K

Примечание

Перед заменой необходимо убедиться в совпадении электрических характеристик и распиновки, так как корпус SMD-8 может иметь различные варианты исполнения.

Если нужны конкретные параметры для определенной модели, уточните производителя или datasheet.