IGBT SMM200GAL173D

Описание IGBT модуля SMM200GAL173D

SMM200GAL173D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных электроприводах и системах управления мощностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | до 400 А | | Мощность (P_tot) | до 1200 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50 нс / ~300 нс | | Температура работы | -40°C до +150°C (T_j) | | Корпус | Изолированный, с базовой пластиной | | Вес | ~200 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера

• SMM200GAL173D (основной номер производителя)
• 200GB173D (альтернативное обозначение)
• 200GAL173 (сокращенный вариант)

Совместимые/аналогичные модели

• Infineon: FF200R17KE4
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-170
• SEMIKRON: SKM200GB173D

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как аналоги могут отличаться по параметрам управления и тепловым режимам.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики характеристик), уточните!