IGBT SMM200GB173D

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT SMM200GB173D
Описание и технические характеристики IGBT SMM200GB173D
Описание:
Модуль IGBT SMM200GB173D — это высоковольтный силовой транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразователях частоты, инверторах, сварочных аппаратах и промышленных системах управления. Модуль включает в себя антипараллельный диод для обеспечения обратного тока и обладает низкими динамическими и статическими потерями.
Производитель:
- Mitsubishi Electric (или другой производитель, если уточнено)
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В | | Номинальный ток (IC при 25°C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (ICP) | 400 А | | Макс. рассеиваемая мощность (Ptot) | 1200 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~2.5 В | | Время включения (ton) | ~60 нс | | Время выключения (toff) | ~300 нс | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт | | Корпус | Изолированный (модуль с базовой пластиной) |
Парт-номер и совместимые модели:
Аналоги и замены (в зависимости от производителя и характеристик):
-
Прямые аналоги:
- CM200DY-24A (Mitsubishi)
- FF200R17KE3 (Infineon)
- MG200Q1US41 (Toshiba)
- IXYS IXGH200N170
-
Совместимые модели (по напряжению и току):
- SMM300GB173D (300A версия)
- SMM200GB123D (1200V версия)
- FZ200R17KE3 (Infineon)
Применение:
- Частотные преобразователи
- Инверторы
- Электроприводы
- Сварочное оборудование
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужны дополнительные параметры (например, динамические характеристики, графики), уточните производителя или предоставьте даташит для более точной информации.