IGBT TM200DZ2H

Описание IGBT-модуля TM200DZ2H

IGBT TM200DZ2H – это мощный транзисторный модуль с интегрированным обратным диодом, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность и устойчивость к перегрузкам. Корпус обеспечивает эффективный теплоотвод и совместим со стандартными системами охлаждения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|--------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 200 А) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (ISO), 2-выводной |
| Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• TM200DZ2H (оригинал)
• CM200DY-12NFH (Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon)
• FZ200R12KE3 (Infineon)
• 2MBI200U2A-120 (Fuji Electric)

Совместимые модули с аналогичными параметрами (1200 В, 200 А):

• SKM200GB12T4 (Semikron)
• MG200Q1US41 (Littelfuse)
• BSM200GB120DLC (ABB)

Примечания по замене

При замене модуля необходимо учитывать:

• Распиновку и крепление (могут отличаться у разных производителей).
• Тепловые характеристики и требования к охлаждению.
• Наличие встроенного диода (в некоторых аналогах его может не быть).

Для точного подбора рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя.

Если нужны дополнительные параметры (например, графики зависимостей или специфические условия эксплуатации), уточните запрос.