IGBT VGO36-16I07

Описание IGBT модуля VGO36-16I07

Производитель: вероятно, Semikron или другой ведущий бренд (уточните производителя для точных данных).
Тип: IGBT-модуль с обратным диодом (NPT или Trench technology).
Назначение: преобразование энергии в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1600 В
• Ток коллектора (I_C): 36 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 72 А (зависит от условий)
• Мощность рассеивания (P_tot): ~150–200 Вт (с теплоотводом)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.0–2.5 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): нс/мкс (уточните datasheet)
• Температура работы: -40°C до +150°C (корпус)
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, SEMiX или подобный).

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Semikron: SKM100GB12T4 (аналог по току/напряжению)
2. Infineon: FF100R12KT4
3. Mitsubishi: CM100DY-12H
4. Fuji Electric: 1MBI100X-120

Cross-reference:

• По характеристикам: модули с V_CES ≥ 1200–1600 В, I_C ≥ 30–50 А.
• По корпусу: совместимые с SEMiX 2/3 (проверьте механические размеры).

Примечания

1. Для точного подбора аналога проверьте:
   • Распиновку и крепление.
   • Параметры встроенного диода (если есть).
2. Рекомендуется использовать оригинальный datasheet (уточните производителя VGO36-16I07).

Если у вас есть дополнительные данные (например, фото или ссылка на документацию), уточним детали!