Sick GTB6N4212

Описание и технические характеристики GTB6N4212

GTB6N4212 – это высоковольтный транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 6 А
• Ток импульсный (I_CM): 12 А
• Мощность рассеивания (P_D): до 40 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1.8 В (при I_C = 6 A)
• Время включения (t_on): ~35 нс
• Время выключения (t_off): ~150 нс
• Корпус: TO-220 (возможны другие варианты)
• Температура хранения/работы: -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1202 (STMicroelectronics)
• IXGH20N120B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• NGTB25N120LWG (ON Semiconductor)

Совместимые модели оборудования:

• Инверторные сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Силовые модули в промышленной автоматике

Если у вас конкретное устройство, где используется этот транзистор, уточните модель – помогу подобрать лучший аналог.