Sick KT6W2N5116

Описание и технические характеристики KT6W2N5116

Описание:
KT6W2N5116 – это электронный компонент (вероятно, транзистор, MOSFET или другой полупроводниковый прибор), используемый в силовой электронике, схемах управления двигателями, импульсных источниках питания и других приложениях.

Технические характеристики (предположительные, на основе формата маркировки):

• Тип: N-канальный MOSFET (если это транзистор)
• Напряжение сток-исток (V_DS): ~60 В (или другое значение, в зависимости от модели)
• Ток стока (I_D): ~50 А (зависит от конструкции)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): Несколько миллиом (например, 5–10 мОм)
• Корпус: TO-220, TO-263 (D2PAK) или аналогичный
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

Точный производитель неизвестен, но возможные аналоги или похожие компоненты:

• Infineon/IPP: IPP60R060P7, IPP60R099CP
• STMicroelectronics: STP60NF06, STB60NF06
• Vishay/Siliconix: SiHH60N60E, SiR506DP
• ON Semiconductor: FDP60N06, NTD60N06

Если это не MOSFET, а другой компонент (например, драйвер или регулятор), уточните его тип для более точного подбора аналогов.

Примечание:
Для точной информации рекомендуется проверить даташит производителя по полному коду маркировки или использовать тестер компонентов. Если у вас есть дополнительные данные (производитель, фото компонента), укажите их – это поможет уточнить характеристики.