Matsushita 2SD1511

Matsushita 2SD1511 — это кремниевый эпитаксиально-планарный NPN транзистор средней мощности, предназначенный для использования в качестве усилителя мощности низкой частоты (НЧ) и в схемах коммутации. Производитель — Matsushita Electric (Panasonic).

📋 Описание

Транзистор 2SD1511 относится к классу низкочастотных биполярных транзисторов (БТ) с высокой граничной частотой (fT = 150 МГц), что делает его пригодным дляaudio и импульсных схем. Корпус — пластиковый TO-126 (также известен как SC-67 / SOT-32), рассчитанный на монтаж в отверстия (through-hole). Транзистор имеет высокую рассеиваемую мощность (до 1.3 Вт без дополнительного теплоотвода) и хороший коэффициент усиления (hFE от 40 до 320 в зависимости от группы).

Типовая область применения:

• выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты (УНЧ);
• предварительные усилители;
• драйверы средней мощности;
• импульсные схемы и ключи.

Технология: NPN, эпитаксиально-планарный. Особенности: высокая скорость переключения; относительно низкое напряжение насыщения.

⚙️ Технические характеристики (по даташиту Matsushita/Panasonic)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | |---|---|---|---| | Тип | — | NPN | — | | Материал | — | Si (кремний) | — | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 60 В | — | | Напряжение коллектор-база | VCBO | 60 В | — | | Напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 В | — | | Коллекторный ток (постоянный) | IC | 1000 мА (1 А) | — | | Пиковый ток коллектора | IC(peak) | 1500 мА (1.5 А) | — | | Рассеиваемая мощность (без радиатора) | PC | 1.3 Вт | Ta = 25 °C | | Рассеиваемая мощность (с теплоотводом, корпус TO-126) | PC | 10 Вт | Tc = 25 °C (типовое значение для TO-126; уточняйте по конкретному даташиту) | | Граничная частота усиления | fT | 150 МГц | VCE = 10 В, IC = 50 мА | | Статический коэффициент передачи тока | hFE | 40–320 (в зависимости от группового класса) | VCE = 10 В, IC = 500 мА (типовое) — проверяйте по даташиту для точной группы | | Внутреннее сопротивление базы | rBB' | ~ 10 Ом | Типовое значение (высокочастотный параметр) | | Ёмкость коллекторного перехода | Cob (Cc) | ~ 15 пФ | VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц (типовое значение; уточняйте в даташите) | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 0.5 В (тип.) | IC = 500 мА, IB = 50 мА (по даташиту) | | Рабочая температура перехода | Tj | от –55 до +150 °C | — | | Температура хранения | Tstg | от –55 до +150 °C | — | | Корпус | — | TO-126 (SC-67, SOT-32) | — | | Тип упаковки | — | Bulk/прочее

Маркировка: прямое нанесение hFE-группы краской (иногда добавлен цветной точкой). Обозначение группы внутри пиктограммы: O, P, Q, R, S.

• Группа O — низкий hFE
• Группа R — средний
• Группа S — высокий

Кремнистый NPN, корпус с изолированным с изолирующей пластиной выводом коллектора (с задней металлической площадкой коллектора).

🏷️ Парт-номера

Часто встречающиеся варианты обозначения (с префиксами и суффиксами):

• 2SD1511 (базовый)
• 2SD1511-O, 2SD1511-P, 2SD1511-Q, 2SD1511-R, 2SD1511-S (группы усиления по hFE)
• 2SD-1511
• 2SD1511(X), 2SD1511(4) и другие variants у сторонних / клон-производителей.