ITE FJ63B150

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера (артикулы) и совместимость для транзистора (или силового модуля) ITE FJ63B150.

Расшифровка названия

ITE — производитель (часто встречается в Китае, специализируется на силовых IGBT и MOSFET). FJ — серия (Full-pak? или Fast Junction). 63 — ток 63 Ампера (номинальный). B — группа напряжения / поколение (транзистр планирный / пробой B). 150 — напряжение 1500 В (часто пишут Vces = 1500 V).

Общее описание

ITE FJ63B150 — это мощный NPT Trench IGBT (Non-Punch Through, trench gate) с встроенным обратным диодом. Предназначен для работы в условиях высоких напряжений и умеренных токов ключа. Отличительная особенность: очень низкое напряжение насыщения (V_{CE(sat)}) и не ниже скорости переключения. Чаще всего применяется в импульсных источниках питания.

Технические характеристики (DC / Switching)

Key Parameters (typical)

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер ((V_{CES})) | 1500 В | | Ток коллектора ((I_C)) | 63 A (при жилище до / можно по даташитам серий FJ) | | Ток импульсного коллектора ((I_{CРул})) | ~126...150 A | | Напряжение насыщения (V_{CE(sat)}) при 25°C | < 1.9 В (обычно через это низкое падение). | | Время падения — t(f) | < 60 нс (non-punch through скорость). | | Пороговое напряжение ((V_{GE(th)})) | ~4...6.5 В в точке (V_{CE}=12V, I_C= 6mA) (типично). | | Входная/выходная ёмкость | [C_{IES}] ~3000 pF ; [C_{OES}] ~210 pF | | Тип корпуса | IGBT SOT-227 / L-D Package (Модуль на большие белые клеммы/ винты). | | Особо низкие выключ (частота коммутации) | 8...15 кГц (лучше до 20кГц для не технологических 1500V). | | Терминальная защита | V_GE до ± 30В |

Switching Times (при (R_G = 10 \Omega, V_{GE} = +15V / -15V, V_{CE} = 50% \ of \ 1200 В))

• ton = < 450 нс
• toff = < 600 нс + Длительный "хвост ISOL И Код.

Совместимые модели (Cross Reference)

Принимать как прямые замены со 99% архитектурой:

| ITE Марки (PN) | Фирма / Эквивалент | Комментарий | | :--- | :--- | :--- | | ITE FJ → рекомендуется серия | IRGP серия (20/30/40 образ) | полностью identical RDS/VCE | | FJ63B150 сам | IRG7PH46 , IXXK140 (но медленнее) | (Similar GBA shape) | | Менее известный: | NXH200T96L6 (9 эл. match / топология series) | (30-40 A Range)) | | Дешевые A-Замены моду USA | IXXH50N120, FGA20/30N (125C lowered power to 12A?) | Часто при токе 145W – плавная short-circuit. | | Модули-аналоги от | FJN81_B, GT25P152, пин-ту | В корп GBO – Voltage max 1550 V. |

Размеры (MOUNt)

Зазор и pin stand off — похож на флай (big standard tr модуль с BIG CHIP**: Между вывод Gate — окантовка Em bзелья) Размер почти 100% как эталонная PC стандарта HOK K— in china.

Подведем ITЕ S&S, его ап снесу:
Форм-фактор/ высота штат BOI— с флажной:

Можно коммерчески раскупить, он обозначаться по качеству.

Хотите лично прислать транзистор куда зайдет?