IXYS I3512A7

IXYS I3512A7 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы и мостовые схемы.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: SuperMESH™ (оптимизирована для низких потерь и высокой эффективности)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 3,5 А (при 25 °C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 3,5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3,5 В (типовое)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт (при 25 °C)
• Температурный диапазон: от -55 °C до +150 °C
• Корпус: TO-252 (DPAK)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS I3512A6 (аналогичный параметр, возможны небольшие отличия в R_DS(on))
• IXFK3N120 (альтернатива от IXYS с похожими характеристиками)

Совместимые модели (аналоги от других производителей):

• STMicroelectronics STF3N120
• Infineon IPP3N120
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP3N120

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Схемы управления двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужны более точные параметры для конкретного применения, уточните условия работы (частоту, температуру, нагрузку).