IXYS Ixa20i1200pb

IXYS IXA20I1200PB – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS IXA20I1200PB – это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, промышленных преобразователях частоты и системах управления электродвигателями.
Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 40 А при 100°C)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 40 А (при 100°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 80 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,2 В (при I_C = 20 А) | | Время включения (t_d(on)) | 55 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 320 нс | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт | | Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C | | Корпус | TO-247 (3 контакта) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (парт-номера IXYS/Littelfuse)

• IXA20I1200 (базовая версия без суффикса PB)
• IXGH20N120 (близкий аналог с похожими характеристиками)

Совместимые модели от других производителей

• Infineon: IKW20N120H3, IKW20N120T2
• STMicroelectronics: STGW20H120DF, STGW20NC120V
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi: CM200DY-24A

Возможные замены

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение V_CES (не менее 1200 В)
• Ток I_C (желательно 30–50 А)
• Наличие встроенного диода
• Корпус (TO-247 для удобства замены)

Применение

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Системы управления электродвигателями

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям эксплуатации – укажите дополнительные параметры.