IXYS IXDN75N120

Описание

IXYS IXDN75N120 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением (1200 В) и током стока до 75 А, предназначенный для мощных импульсных и силовых приложений. Этот компонент отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для использования в:

• Инверторах и преобразователях
• Импульсных источниках питания (SMPS)
• Драйверах двигателей
• Системах электропитания промышленного оборудования

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, что важно для работы в высоконагруженных режимах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 75 А | | Макс. ток стока (I_D) при 100°C | 45 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.12 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4–6 В | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | 35 нс / 50 нс | | Корпус | TO-247 | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги от других производителей:

1. Infineon
   • IPW75R120C3
   • IPP75R120C3
2. STMicroelectronics
   • STW75N120
   • STP75N120
3. ON Semiconductor
   • FGH75N120
   • NTP75N120

Парт-номера IXYS (линейка IXDN):

• IXDN75N120D1 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)
• IXDN75N120B (альтернативная версия)

Примечания

• При замене на аналог рекомендуется проверять характеристики R_DS(on), заряда затвора и температурный режим.
• Для высокочастотных применений критично учитывать Q_g и скорость переключения.

Если требуется более точный подбор аналога, уточните условия работы (частота, нагрузка, схема драйвера).