IXYS IXFB100N50P

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFB100N50P
Описание и технические характеристики IXYS IXFB100N50P
IXYS IXFB100N50P – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением сток-исток (500 В) и низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)). Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.
Основные характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 500 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 100 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 400 А |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.045 Ом (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (PD) | 600 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 4 В |
| Время включения (td(on)) | 23 нс |
| Время выключения (td(off)) | 86 нс |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |
Парт-номера (альтернативные обозначения)
- IXFB100N50P3 (возможен другой вариант упаковки или партии)
- IXFB100N50 (базовая модель без уточнения суффикса)
Совместимые аналоги и замены
- Infineon IPP100N04S4-03 (500 В, 100 А, TO-264)
- STMicroelectronics STW100N50 (500 В, 100 А, TO-247)
- Vishay SUP100N50 (500 В, 100 А, TO-264)
- IRFP450 (500 В, 14 А, TO-247, менее мощный аналог)
- Fairchild (ON Semiconductor) FCH100N50 (500 В, 100 А, TO-264)
При замене важно учитывать корпус, RDS(on) и тепловые характеристики. Для точной совместимости рекомендуется проверять datasheet.
Если нужна дополнительная информация, уточните параметры замены!