IXYS IXFB100N50Q3

IXYS IXFB100N50Q3 – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для мощных импульсных и линейных приложений.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: Super Trench
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 500 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 100 А
• Импульсный ток (I_DM): 400 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.036 Ом (при V_GS = 10 В)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 600 Вт (при 25°C)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-264 (IXFH)

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность благодаря низкому R_DS(on)
• Быстрое переключение с малыми потерями
• Высокая устойчивость к лавинному пробою
• Оптимизирован для жестких рабочих условий

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от IXYS:
  • IXFH100N50P (TO-247)
  • IXFN100N50P (TO-264)
• Совместимые аналоги от других производителей:
  • Infineon IPA100R500P7 (TO-247)
  • STMicroelectronics STW100N50 (TO-247)
  • Vishay SUP100N50 (TO-264)

Типовые применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Мостовые и полумостовые преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные промышленные системы

Транзистор IXFB100N50Q3 подходит для приложений, требующих высокой мощности и надежности, таких как сварочные аппараты, электроприводы и силовая электроника.