IXYS IXFB82N60Q3

Описание и технические характеристики IXYS IXFB82N60Q3

IXYS IXFB82N60Q3 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой эффективностью, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 82 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.06 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 500 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 170 нКл |
| Время включения (t_d(on)) | 21 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 66 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXFH82N60Q3 (аналог в корпусе TO-247)
• IXFK82N60Q3 (аналог в корпусе TO-264)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPA60R190P7 (600 В, 50 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW86N60M6 (600 В, 86 А, R_DS(on) = 0.042 Ом)
• ON Semiconductor FDL100N60F (600 В, 100 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)
• Vishay IRFP4668PbF (600 В, 130 А, R_DS(on) = 0.036 Ом)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные DC-DC преобразователи
• Индукционные нагреватели

Транзистор IXFB82N60Q3 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике благодаря низким потерям и высокой перегрузочной способности.