IXYS IXFH150N17T

Описание

IXYS IXFH150N17T – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокоточных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой переключательной способностью, что делает его идеальным для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• DC-DC преобразователей
• Индукционных нагревателей
• Управления двигателями
• Солнечных инверторов

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, что позволяет использовать транзистор в системах с высокой нагрузкой.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 170 В | | Макс. ток (I_D) | 150 А (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 7.5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвора (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 500 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +175°C | | Тип затвора | Стандартный (не логический) |

Парт-номера и аналоги

Официальные парт-номера IXYS (Infineon):

• IXFH150N17T2 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXFN150N17T (альтернативный корпус TO-264)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon IPP150N15N3 (150 А, 150 В)
• STMicroelectronics STW150N17T4 (150 А, 170 В)
• Vishay SiHG150N17E (150 А, 170 В)
• IRFP4368PbF (International Rectifier) – 140 А, 170 В

Примечания по замене

При выборе аналога важно учитывать:

1. Напряжение V_DSS – должно быть не ниже 170 В.
2. Ток I_D – желательно ≥150 А.
3. Корпус – TO-247 или TO-264 для совместимости по теплоотводу.
4. Параметры затвора – V_GS(th) и заряд (Q_g).

Для критичных применений рекомендуется проверять datasheet на соответствие динамическим характеристикам (например, t_d(on), t_r, t_d(off)).

Если нужны дополнительные данные (графики, тесты), уточните запрос!