IXYS IXFN120N20

Описание

IXYS IXFN120N20 – это N-канальный MOSFET транзистор с высокой мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)). Он предназначен для применений, требующих высокой эффективности и надежности, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Моторные приводы и инверторы
• Управление мощной нагрузкой в промышленной и автомобильной электронике

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS = 200 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 0.028 Ом при V_GS = 10 В)
• Большой ток стока (I_D = 120 А)
• Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора (Q_g)
• Корпус TO-247 (подходит для мощных применений с эффективным теплоотводом)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 120 А (при 25°C) |
| Сопротивление R_DS(on) | 0.028 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | ~170 нКл (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +175°C |

Аналоги и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon IPP120N20N3
• STMicroelectronics STW120N20
• Vishay Siliconix SUP120N20-18
• ON Semiconductor NTMFS120N20

Близкие по характеристикам MOSFET (альтернативы):

• IXYS IXFN140N20 (140 А, 200 В)
• IXYS IXFN110N20 (110 А, 200 В)
• IRFP250N (IR, 30 А, 200 В, менее мощный аналог)

Примечания

• При замене на аналог рекомендуется проверять R_DS(on), Q_g и температурные характеристики.
• Для мощных применений обязателен эффективный теплоотвод (радиатор).
• IXYS (ныне часть Littelfuse) славится надежными высоковольтными MOSFET.

Если нужны специфические графики (например, зависимость R_DS(on) от температуры), можно обратиться к официальному даташиту: Littelfuse/IXYS IXFN120N20 Datasheet.