IXYS IXFN180N20

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFN180N20
IXYS IXFN180N20 – Описание и технические характеристики
Описание
IXFN180N20 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор от компании IXYS (ныне часть Littelfuse), разработанный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его идеальным для использования в:
- Импульсных источниках питания (SMPS)
- Инверторах и преобразователях
- Управлении электродвигателями
- Индукционном нагреве
- Системах силовой электроники
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (VDSS) | 200 В |
| Постоянный ток стока (ID) | 180 А |
| Импульсный ток стока (IDM) | 720 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 5.5 мОм (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.5 – 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 960 Вт |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-263 в увеличенном исполнении) |
| Температура хранения/работы | -55°C до +175°C |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:
- IXFN170N20 (170 А, 200 В, RDS(on) = 6.5 мОм)
- IXFN190N20 (190 А, 200 В, RDS(on) = 5.0 мОм)
Совместимые модели от других производителей:
- Infineon IPP180N20N3 (180 А, 200 В, RDS(on) = 5.5 мОм)
- Vishay SUP50020E-GE3 (200 А, 200 В, RDS(on) = 4.5 мОм)
- STMicroelectronics STW180N20 (180 А, 200 В, RDS(on) = 6.0 мОм)
Примечания
- Перед заменой на аналог рекомендуется проверить разводку выводов и рабочие характеристики.
- Для оптимальной работы рекомендуется использовать радиатор и эффективное охлаждение.
Если требуется более детальная информация (графики, типовые схемы включения), можно обратиться к даташиту IXFN180N20 на официальном сайте Littelfuse.