IXYS IXFN21N100Q

IXYS IXFN21N100Q – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений.

Описание:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Назначение: Высоковольтные преобразователи, импульсные источники питания (SMPS), инверторы, драйверы двигателей, промышленные и силовые приложения.
• Особенности:
  • Высокое напряжение сток-исток (1000 В)
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
  • Быстрое переключение
  • Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-----------------------------------|
| Тип MOSFET | N-канальный |
| Макс. напряжение VDS | 1000 В |
| Макс. ток стока ID | 21 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 0.45 Ом (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение VGS(th) | 4 В (тип.) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт (с теплоотводом) |
| Корпус | TO-264 (аналогичен TO-3PN) |
| Температура хранения | от -55°C до +150°C |
| Время включения/выключения (tON/tOFF) | 30 нс / 60 нс (тип.) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (замены):

• IXYS IXFN21N100 (более ранняя версия без суффикса Q)
• IRFP460 (аналог с близкими параметрами, но требует проверки в схеме)
• STW21N100 (STMicroelectronics)
• FQA21N100 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (схожие параметры):

• IXFN20N100Q (20 А, 1000 В)
• IXFN22N100Q (22 А, 1000 В)
• APT10021JN (Microsemi)

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите.
• Рекомендуется использовать с радиатором для эффективного охлаждения.
• Применяется в мощных DC-DC преобразователях, инверторах и ВЧ-схемах.

Для точного подбора аналога лучше сверяться с официальной документацией производителя.