IXYS IXFN26N90

Описание и технические характеристики IXYS IXFN26N90

IXYS IXFN26N90 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор с высокой скоростью переключения, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 900 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 26 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,28 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Температура хранения (T_stg) | -55°C до +150°C |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

• Прямые аналоги:

  • IXYS IXFN26N90P1 (модификация с улучшенными характеристиками)
  • IXYS IXFN36N90 (36 А, 900 В)
  • IXYS IXFN38N100 (38 А, 1000 В)
  • Infineon IPW90R280C3 (900 В, 23 А, R_DS(on) 0.28 Ом)
  • STMicroelectronics STW26NM90 (900 В, 26 А)

• Частично совместимые модели (с проверкой по характеристикам):

  • Fairchild (ON Semiconductor) FCH26N90
  • IRFP460 (500 В, 20 А – менее мощный, но иногда используется в схемах с меньшим напряжением)

Примечание: При замене всегда следует проверять соответствие ключевых параметров (V_DSS, I_D, R_DS(on) и корпус).

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам с этим транзистором, уточните детали!