IXYS IXFN36N60

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFN36N60
IXYS IXFN36N60 - Описание и технические характеристики
Описание:
IXFN36N60 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и другие силовые электронные системы.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (600 В)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
- Быстрое переключение
- Высокая надежность и термостабильность
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------------------------|---------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 36 A |
| Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0,085 Ом (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (PD) | 300 Вт |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 3–5 В |
| Время включения (td(on)) | 12 нс |
| Время выключения (td(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
Парт-номера (альтернативные обозначения):
- IXFN36N60X (модификация с улучшенными параметрами)
- IXFN36N60P (другая версия корпуса)
Совместимые / аналогичные модели:
От IXYS / Littelfuse:
- IXFN38N60Q2 (38 A, 600 В)
- IXFN32N60 (32 A, 600 В)
- IXFN34N60 (34 A, 600 В)
От других производителей:
- Infineon: IPP60R099C6 (600 В, 30 A, 0,099 Ом)
- STMicroelectronics: STW36N60M2 (600 В, 36 A, 0,085 Ом)
- ON Semiconductor: FDPF36N60 (600 В, 36 A, 0,11 Ом)
- Vishay: IRFP36N60 (600 В, 36 A, 0,12 Ом)
Применение:
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Инверторы и преобразователи частоты
- Управление электродвигателями
- Высоковольтные системы питания
Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуются аналогичные параметры по напряжению и току. При выборе замены важно учитывать RDS(on) и тепловые характеристики.
Если нужны более точные аналоги, уточните параметры вашей схемы.