IXYS IXFN64N50PD2

Описание

IXYS IXFN64N50PD2 – это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии Super Trench, который обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях. Основные преимущества:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)).
• Высокая скорость переключения.
• Устойчивость к перегрузкам и высокой температуре.
• Оптимизирован для жестких условий работы (например, импульсные источники питания, моторные драйверы, инверторы).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------|----------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Технология | Super Trench |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 500 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 64 А |
| Макс. импульсный ток (IDM) | 256 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.045 Ом (при VGS=10 В) |
| Напряжение отсечки (VGS(th)) | 3–5 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера (аналоги и замены)

Некоторые совместимые модели и аналоги:

• Infineon IPA60R099P7XKSA1 (600 В, 48 А, RDS(on)=0.099 Ом)
• STMicroelectronics STW48N50M2 (500 В, 48 А, RDS(on)=0.075 Ом)
• Vishay IRFP4568PBF (500 В, 57 А, RDS(on)=0.065 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH47N60F (600 В, 47 А, RDS(on)=0.077 Ом)
• IXYS IXFN48N60P (600 В, 48 А, RDS(on)=0.075 Ом)

Совместимые модели от IXYS

• IXFN48N50P (500 В, 48 А, RDS(on)=0.08 Ом)
• IXFN60N50P (500 В, 60 А, RDS(on)=0.06 Ом)
• IXFN72N50P (500 В, 72 А, RDS(on)=0.045 Ом)

Эти транзисторы могут использоваться в схемах с аналогичными требованиями, но перед заменой рекомендуется уточнить параметры работы в конкретном устройстве.

Если нужна более точная замена, лучше проверить datasheet и условия эксплуатации.