IXYS IXFN82N60P

Артикул: 376804
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS IXFN82N60P
Описание и технические характеристики IXYS IXFN82N60P
IXFN82N60P – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока до 82 А. Применяется в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и системы управления мощностью.
Основные характеристики:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
- Ток стока (ID) при 25°C: 82 А
- Ток стока (ID) при 100°C: 52 А
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.055 Ом (при VGS=10 В)
- Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 500 Вт
- Тип корпуса: TO-264 (IXFN)
- Температурный диапазон: -55°C до +150°C
- Заряд затвора (Qg): 150 нКл (тип.)
- Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 4 В (мин.)
Парт-номера (аналоги и альтернативные модели)
Некоторые совместимые или аналогичные транзисторы:
- Infineon: IPP60R099CP, IPW60R041C6
- STMicroelectronics: STW75N60M2, STP80N60DM2
- ON Semiconductor: FCPF190N60, NTP60N06
- Vishay: IRFP460, IRFP4668
- IXYS (аналогичные модели): IXFN52N60P (52A), IXFN110N60P (110A)
Области применения:
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Инверторы и преобразователи частоты
- Управление электродвигателями
- Системы резервного питания (UPS)
- Сварочное оборудование
Если вам нужны более точные параметры для замены, рекомендуется сравнивать характеристики по даташитам.