IXYS IXFN82N60P

IXYS IXFN82N60P
Артикул: 376804

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IXYS IXFN82N60P

Описание и технические характеристики IXYS IXFN82N60P

IXFN82N60P – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока до 82 А. Применяется в высоковольтных и сильноточных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и системы управления мощностью.

Основные характеристики:

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Напряжение сток-исток (VDSS): 600 В
  • Ток стока (ID) при 25°C: 82 А
  • Ток стока (ID) при 100°C: 52 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.055 Ом (при VGS=10 В)
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 500 Вт
  • Тип корпуса: TO-264 (IXFN)
  • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Заряд затвора (Qg): 150 нКл (тип.)
  • Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 4 В (мин.)

Парт-номера (аналоги и альтернативные модели)

Некоторые совместимые или аналогичные транзисторы:

  • Infineon: IPP60R099CP, IPW60R041C6
  • STMicroelectronics: STW75N60M2, STP80N60DM2
  • ON Semiconductor: FCPF190N60, NTP60N06
  • Vishay: IRFP460, IRFP4668
  • IXYS (аналогичные модели): IXFN52N60P (52A), IXFN110N60P (110A)

Области применения:

  • Импульсные блоки питания (SMPS)
  • Инверторы и преобразователи частоты
  • Управление электродвигателями
  • Системы резервного питания (UPS)
  • Сварочное оборудование

Если вам нужны более точные параметры для замены, рекомендуется сравнивать характеристики по даташитам.

Товары из этой же категории