IXYS IXFT12N100Q

IXYS IXFT12N100Q — это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других приложений, требующих высокой эффективности и надежности.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 12 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 0.85 Ом (при V_GS = 10 В)
  • 1.1 Ом (при V_GS = 6 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Тип корпуса: TO-247
• Диапазон рабочих температур: -55°C до +150°C
• Встроенный обратный диод: Да

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IXYS IXFT12N100P (аналог с немного другими параметрами R_DS(on))
• IXYS IXFH12N100Q (аналог в корпусе TO-247)
• STMicroelectronics STW12N100K5
• Infineon IPW60R099CP
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP11N60

Совместимые модели (с проверкой по параметрам):

• IRFP460 (International Rectifier) – 500 В, 20 А, но может заменяться в некоторых схемах
• IXFN12N100Q – аналог в другом корпусе
• APT100S20B3 (Microsemi) – альтернатива для высоковольтных приложений

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если требуется точная замена, рекомендуется свериться с даташитами и проверить соответствие параметров в конкретной схеме.