IXYS IXFX180N10

Описание

IXYS IXFX180N10 – это N-канальный MOSFET транзистор с высоким напряжением и током, предназначенный для мощных импульсных и линейных приложений. Устройство отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Источников питания (SMPS)
• Инверторов и преобразователей
• Управления двигателями
• Индукционного нагрева
• Высоковольтных систем

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 180 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_DM) | 720 А |
| Сопротивление (R_DS(on)) | 0.0085 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Мощность рассеяния (P_D) | 830 Вт (при 25°C) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 175 нКл |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS IXFX180N10T (версия с улучшенными характеристиками)
• IXFN180N10 (в корпусе TO-264, схожие параметры)

Частично совместимые MOSFET (требуется проверка схемы):

• IRFP4668PbF (International Rectifier, 100 В, 180 А, TO-247)
• FDP3652 (Fairchild/ON Semi, 100 В, 140 А, TO-220)
• STP160N10F7 (STMicroelectronics, 100 В, 160 А, TO-247)

Примечания

1. Корпус: TO-264 требует надежного теплоотвода из-за высокой мощности.
2. Затвор: Рекомендуется низкоомный драйвер для минимизации Q_g.
3. Замена: При выборе аналога учитывайте R_DS(on), Q_g и корпус.

Если требуется точный аналог для конкретного применения, уточните параметры схемы (напряжение, ток, частота переключений).