IXYS Ixgh16n170

Описание и технические характеристики IXYS IXGH16N170

IXGH16N170 – это N-канальный IGBT-транзистор с высоким напряжением (1700 В) и током коллектора 16 А. Предназначен для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, источниках питания и промышленных системах управления.

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1700 В
• Ток коллектора (I_C): 16 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 32 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 3.0 В (при I_C = 16 А)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 160 Вт
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение пробоя (1700 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии
• Быстрое переключение
• Встроенный антипараллельный диод

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• IXGH16N170A
• IXGH16N170B (улучшенная версия)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IGW16N170H3
• Fuji Electric: 2MBI200U2H-170
• Mitsubishi: CM600HA-24H
• STMicroelectronics: STGW16NC170HD

Эти транзисторы могут быть взаимозаменяемыми в зависимости от схемотехники и условий работы.

Если нужна более точная информация по замене, рекомендуется проверять datasheet и сравнивать параметры.