IXYS IXGK320N60B3

Описание

IXYS IXGK320N60B3 – это N-канальный IGBT-транзистор с ультранизким падением напряжения в открытом состоянии (Ultra Low V_CE(sat)), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью и эффективным теплоотводом благодаря технологии Trench+Field Stop.

Применяется в:

• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Сварочном оборудовании
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленных и автомобильных силовых системах

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-------------------------------|
| Тип транзистора | N-IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 320 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 200 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 640 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.85 В (при 160 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 160 нс |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 625 Вт |
| Рабочая температура | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-264 (изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGK320N60B3D1 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
• IXGH32N60B3 (схожий по параметрам, но в другом корпусе)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IKW40N60T (600 В, 40 А, но в другом корпусе)
• STMicroelectronics STGW40H60DF (600 В, 40 А, Fast IGBT)
• Fuji Electric 2MBI200XBE120-50 (IGBT-модуль 1200 В, но можно подобрать по току)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• IXGN320N60B3 (аналог в корпусе TO-247)
• IXGH32N60C3 (более старый вариант с аналогичными характеристиками)

Примечание

При замене на альтернативную модель важно учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки
• Тепловые характеристики и способ охлаждения
• Время переключения (для высокочастотных схем)

Если требуется точный аналог, рекомендуется обратиться к даташитам или консультантам Littelfuse (IXYS).