IXYS IXGQ90N33TCD1

Описание и технические характеристики IXYS IXGQ90N33TCD1

Описание:
IXGQ90N33TCD1 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение V_DSS | 330 В |
| Макс. ток I_D (при 25°C) | 90 А |
| Макс. ток I_D (при 100°C) | 60 А |
| Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 10 В) | 0.033 Ом (тип.) |
| Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 4.5 В) | 0.045 Ом (тип.) |
| Пороговое напряжение V_GS(th) | 2.5 – 4.5 В |
| Макс. мощность P_D | 300 Вт (при 25°C) |
| Заряд затвора Q_g | ~90 нКл (тип.) |
| Время включения t_d(on) | ~12 нс (тип.) |
| Время выключения t_d(off) | ~50 нс (тип.) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS IXGQ90N30TCD1 (300 В, 90 А, 0.033 Ом)
• IXYS IXGQ80N33TCD1 (330 В, 80 А, 0.038 Ом)
• IXYS IXGQ100N30TCD1 (300 В, 100 А, 0.028 Ом)
• Infineon IPP90N04S4 (40 В, 90 А, 0.0045 Ом) (низковольтный аналог)

Совместимые модели от других производителей:

• STMicroelectronics STP90NF03L (30 В, 90 А, 0.007 Ом) (для низковольтных применений)
• Vishay IRFP4668PbF (200 В, 130 А, 0.009 Ом) (альтернатива для меньших напряжений)
• ON Semiconductor FDPF90N33T (330 В, 90 А, 0.033 Ом)
• Toshiba TK90N33W (330 В, 90 А, 0.033 Ом)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Солнечные и силовые преобразователи

Если вам нужен точный аналог, важно учитывать не только ток и напряжение, но и параметры R_DS(on), Q_g и корпус.