IXYS IXGX60N60C2D1

IXYS IXGX60N60C2D1 – Описание и технические характеристики

Описание:

IXGX60N60C2D1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и током, выполненный в корпусе TO-264. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных системах управления и других высоковольтных приложениях.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 600 В | | Макс. ток (I_D) при 25°C | 60 А | | Импульсный ток (I_DM) | 180 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.06 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 375 Вт | | Корпус | TO-264 (SOT-227B) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C | | Тип затвора | Стандартный (не логический) |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS IXGX60N60B2D1 (аналог с близкими параметрами, но может отличаться R_DS(on))
• IXYS IXGX60N60A2 (более ранняя версия)
• IXGH60N60C2D1 (аналог с корпусом TO-247)

Альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPA60R190E6 (600 В, 50 А, R_DS(on) = 0.19 Ом)
• STMicroelectronics STW60N60M2 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.065 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH60N60 (600 В, 60 А, R_DS(on) = 0.06 Ом)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы (DC-AC)
• Мостовые схемы (H-мосты)
• Электроприводы и промышленная автоматика

Если вам нужны дополнительные аналоги или параметры, уточните требования!