IXYS IXTK102N65X2

Описание и технические характеристики IXYS IXTK102N65X2

IXYS IXTK102N65X2 – это N-канальный MOSFET-транзистор с повышенной мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 650 В
• Максимальный ток стока (ID) при 25°C: 102 А
• Максимальный импульсный ток (IDM): 400 А
• Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 19 мОм (при VGS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 4 В (тип.)
• Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 830 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-264 (аналог TO-3P)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Применение:

• Высокомощные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Индукционные нагреватели
• Силовые ключи в промышленной электронике

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS (Littelfuse): IXTK102N65X2
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IPW90R065C3
  • STMicroelectronics: STW90N65M5
  • ON Semiconductor: NTHL020N65S3F
  • Vishay: SUP90N65

Совместимые модели (похожие MOSFET с близкими параметрами):

• IXYS IXTK110N65X2 (110A, 650V, 16 мОм)
• IXYS IXTK90N65X2 (90A, 650V, 22 мОм)
• Infineon IPP60R190C6 (60A, 650V, 190 мОм)
• STMicroelectronics STP80NF55-06 (80A, 55V, 6 мОм) – для менее высоковольтных применений

Этот MOSFET подходит для замены в схемах, где требуется высокая мощность и надежность. При выборе аналога важно учитывать не только ток и напряжение, но и параметры RDS(on), заряд затвора и тепловые характеристики.