IXYS IXTN15N100

Описание

IXYS IXTN15N100 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением стока-истока (1000 В) и током стока до 15 А. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и автомобильных системах управления. Отличается низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 60 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.55 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения/работы | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS IXTN15N100D1 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXTN15N100HV (высоковольтная версия)

Совместимые / альтернативные модели (схожие характеристики):

• Infineon IPW60R041CFD7 (600 В, 48 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW15NK100Z (1000 В, 15 А, TO-247)
• Microsemi (Vishay) APT15M100J (1000 В, 15 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semi) FCH15N100 (1000 В, 15 А, TO-247)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие параметров, особенно напряжение V_DSS, ток I_D и R_DS(on). Для критичных применений (например, высокочастотные преобразователи) важна также скорость переключения и заряд затвора.

Если нужны дополнительные параметры (C_iss, Q_g и т. д.) или аналоги в других корпусах (TO-220, TO-3P), уточните запрос!