IXYS IXTN40P50P

IXYS IXTN40P50P: Описание и технические характеристики

Описание

IXTN40P50P – это N-канальный мощный MOSFET-транзистор с высоким напряжением стока (500 В) и низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)). Разработан для эффективного управления высокими токами в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приложениях и других силовых электронных системах.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики, что важно при работе с большими токами.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 500 В | | Макс. ток стока (ID) | 40 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) | 0.075 Ом (при VGS=10 В, ID=20 А) | | Предельное напряжение затвора (VGS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт (при 25°C) | | Тип корпуса | TO-247 | | Заряд затвора (Qg) | ~75 нКл (тип.) | | Время включения/выключения | ~25 нс / ~50 нс | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXTH40P50P (аналог от IXYS, тот же параметр, другой корпус)
• IRFP450 (International Rectifier, 500 В, 33 А, TO-247)
• STP40NF10 (STMicroelectronics, 100 В, 40 А, TO-220 – для менее требовательных схем)
• FDPF33N50 (Fairchild/ON Semi, 500 В, 33 А, TO-247)
• IRFP460 (500 В, 20 А, но более высокое RDS(on))

Рекомендуемые замены (при отсутствии оригинала):

• IXFN44N50P (IXYS, 500 В, 44 А, улучшенные параметры)
• APT50M75B2 (Microsemi, 500 В, 50 А, низкое RDS(on))

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Индукционные нагреватели
• Высоковольтные ключевые схемы

Если нужны более точные аналоги под конкретную схему – уточните условия работы (ток, частота переключений, тепловой режим).