IXYS ixtp05n100m

Описание IXYS IXTP05N100M

IXYS IXTP05N100M — это мощный N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 1000 В и током стока 5 А. Он предназначен для высоковольтных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, драйверы двигателей и другие промышленные системы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение 1000 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
• Быстрое переключение благодаря технологии MOSFET
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 1000 В | | Ток стока (I_D) при 25°C | 5 А | | Ток стока (I_D) при 100°C | 3 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 2.5 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеяния (P_D) | 150 Вт | | Корпус | TO-247 | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXTP05N100D (аналог от IXYS с другими параметрами корпуса)
• IRFBE30 (International Rectifier, 800 В, 4.3 А)
• STP5NB100 (STMicroelectronics, 1000 В, 5 А)

Совместимые модели (частичная замена):

• IXTP4N100 (4 А, 1000 В)
• IXTP08N100 (8 А, 1000 В)
• IRFP460 (500 В, 20 А, может использоваться в некоторых схемах)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Высоковольтные преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и устойчивость к высоким напряжениям. При замене на аналог следует учитывать различия в токе и сопротивлении R_DS(on).