IXYS IXTP182N055T

Описание и технические характеристики IXYS IXTP182N055T

IXYS IXTP182N055T — это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-262 (D²PAK), предназначенный для мощных импульсных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его пригодным для использования в:

• DC-DC преобразователях,
• импульсных источниках питания (SMPS),
• управлении двигателями,
• силовой электронике.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 55 В |
| Макс. ток стока (ID) | 182 А |
| Импульсный ток (IDM) | до 728 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 4.5 мОм (при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 – 4.0 В |
| Макс. напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт (при Tc = 25°C) |
| Корпус | TO-262 (D²PAK) |
| Температура перехода (Tj) | от -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXTP180N055T (близкий аналог, 180 А, 55 В)
• IRFP260N (200 А, 50 В, TO-247, менее мощный)
• IRFP4668PbF (130 А, 75 В, TO-247)
• STP160N55F3 (160 А, 55 В, TO-247)
• AUIRFS8409-7P (150 А, 40 В, TO-262)

Похожие модели от IXYS:

• IXTP190N055T (190 А, 55 В)
• IXTP200N055T (200 А, 55 В)

Примечания

• Этот MOSFET требует эффективного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности.
• При замене на аналог важно учитывать VDS, ID, RDS(on) и корпус.
• Рекомендуется проверять datasheet перед использованием в критичных приложениях.

Если нужны дополнительные параметры (Ciss, Coss, tr/tf и т. д.), уточните! 🚀