IXYS IXTP80N12T2

Описание MOSFET-транзистора IXYS IXTP80N12T2

IXYS IXTP80N12T2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии TrenchMOS, который обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокую эффективность в импульсных приложениях.

Основные области применения:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и сварочное оборудование
• Силовые коммутационные схемы

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|---------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 120 В | | Макс. ток стока (I_D) | 80 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 12 мОм (при V_GS = 10 В) | | Предельное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Тип корпуса | TO-247 | | Температурный диапазон | -55°C до +175°C | | Заряд затвора (Q_g) | ~70 нКл (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | ~15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~65 нс |

Парт-номера и совместимые аналоги

Парт-номера от IXYS/Littelfuse:

• IXTP80N12T2 (основная модель)
• IXTH80N12T2 (альтернатива в корпусе TO-247)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon IPP80N12S4-03
• STMicroelectronics STP80NF12
• Vishay IRFP4310ZPBF
• ON Semiconductor NTMFS5C628NL

Особенности и преимущества

• Высокая эффективность благодаря низкому R_DS(on)
• Быстрое переключение
• Высокая устойчивость к перегрузкам
• Подходит для высокочастотных преобразователей

Этот транзистор часто используется в силовой электронике, где требуется надежность и высокие токовые характеристики.