IXYS IXTX46N50L

Описание и технические характеристики IXYS IXTX46N50L

IXYS IXTX46N50L — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по технологии TrenchMOS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 500 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 46 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 184 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) при V_GS = 10 В | 0,085 Ом |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon IPP60R099CP
• STMicroelectronics STW46N50
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH46N50
• Vishay IRFP46N50

Близкие по характеристикам (замены с проверкой по datasheet):

• IXYS IXTH46N50L (аналог с улучшенными параметрами)
• IXYS IXFH46N50 (в другом корпусе)
• IRFP450 (500 В, 14 А, но требует проверки в конкретной схеме)

Рекомендации по замене:

При замене IXTX46N50L на другой MOSFET важно учитывать:

• Напряжение V_DSS (должно быть не менее 500 В)
• Ток I_D (желательно ≥ 40 А)
• Сопротивление R_DS(on) (чем ниже, тем лучше)
• Корпус (TO-247 или аналогичный для теплоотвода)

Если требуется более высокая надежность, можно рассмотреть аналоги от Infineon или STMicroelectronics с улучшенными динамическими характеристиками.

Примечание: Перед заменой рекомендуется свериться с datasheet и проверить работу в конкретной схеме.