IXYS IXXN110N65B4H1

Описание и технические характеристики IXYS IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 – это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 650 В и током стока 110 А, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, моторных драйверах и DC-DC преобразователях.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 60 мОм).
• Быстрое переключение с малыми потерями.
• Высокая надежность и температурная стабильность.
• Корпус TO-247, удобный для монтажа и теплоотвода.

Основные технические параметры:

| Характеристика | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Напряжение сток-исток (VDS) | 650 В |
| Ток стока (ID) | 110 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 60 мОм (при VGS = 10 В) |
| Макс. мощность (PD) | 625 Вт |
| Напряжение затвора (VGS) | ±20 В |
| Время включения (tON) | 28 нс (типовое) |
| Время выключения (tOFF) | 48 нс (типовое) |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги от IXYS/IXYS-Littelfuse:

• IXFN110N65X2 (более современная версия)
• IXTH110N65X2 (TO-247, 650 В, 110 А)
• IXFN110N65X3 (низкое RDS(on))

Аналоги от других производителей:

• Infineon IPW65R065CFD7 (650 В, 104 А, 65 мОм)
• STMicroelectronics STW75N65M5 (650 В, 75 А, 80 мОм)
• ON Semiconductor FDPF65N65 (650 В, 65 А, 65 мОм)

При замене важно учитывать RDS(on), ток стока и параметры переключения для корректной работы схемы.

Если нужна помощь с выбором аналога или уточнением характеристик – спрашивайте!