IXYS IXYN82N120C3H1

Описание и технические характеристики IXYS IXYN82N120C3H1

IXYS IXYN82N120C3H1 – это N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других приложений, где требуется высокая эффективность и надежность.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C | 82 А |
| Ток стока (I_D) при 100°C | 52 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,12 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4,0 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 500 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |
| Тип применения | Высоковольтные преобразователи, импульсные источники питания, инверторы |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги и парт-номера:

• IXYS IXFN82N120 (аналогичный параметр, другой корпус)
• IXYS IXTH82N120 (альтернативная серия)
• Infineon IPW90R120C3 (сопоставимый MOSFET)
• STMicroelectronics STW88N120 (аналог с близкими характеристиками)

Совместимые модели (альтернативы от других производителей):

• IRFP460LC (International Rectifier, 500 В, 20 А, TO-247)
• FDPF33N25 (Fairchild, 250 В, 33 А, TO-247) – для менее мощных приложений
• APT50GR120J (Microsemi, 1200 В, 50 А)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Высоковольтные инверторы
• Управление электродвигателями
• Усилители мощности

Этот MOSFET обеспечивает высокую эффективность благодаря низкому R_DS(on) и подходит для жестких условий эксплуатации. При выборе аналога важно учитывать напряжение, ток и тепловые характеристики.