IXYS MCD22014IO8

Описание

IXYS MCD22014IO8 – это мощный MOSFET-транзистор с N-каналом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные области использования: импульсные источники питания, инверторы, двигательные системы и другие силовые электронные устройства.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая энергоэффективность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 140 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 8 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 500 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_G) | 120 нКл |
| Температура хранения | от -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IXYS MCD22014IO8 (оригинал)
• IXFH140N20T (аналог от IXYS)
• IRFP260N (International Rectifier)
• STW75N20 (STMicroelectronics)
• FDP51N20 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (схожие параметры):

• IXFH100N20T (100 А, 200 В)
• IRFP250N (30 А, 200 В)
• AUIRF140N20 (140 А, 200 В)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Силовые ключи в промышленной электронике

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров по V_DSS, I_D и R_DS(on).