IXYS MCD4416IO1B

Описание IXYS MCD4416IO1B

IXYS MCD4416IO1B – это мощный MOSFET-транзистор с N-каналом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и температурная стабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Непрерывный ток стока (I_D) | 16 А |
| Импульсный ток стока (I_DM) | 48 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.45 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам и корпусу):

• IXYS MCD4816IO1B (аналог с близкими параметрами)
• IXFH16N60P (Infineon)
• IRFP460 (International Rectifier)
• STP16NM60 (STMicroelectronics)
• FQP16N60C (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели с похожими характеристиками:

• IXYS IXFN16N60P (600V, 16A, TO-247)
• IXYS IXFH16N60P2 (более современный аналог)
• Infineon IPA60R190P7 (600V, 16A, TO-220/TO-247)

Примечания

• При замене на другой MOSFET важно учитывать параметры V_DSS, I_D и R_DS(on).
• Для высокочастотных приложений рекомендуется проверять динамические характеристики (Q_g, t_rr).
• Изолированный корпус TO-247 позволяет использовать транзистор без дополнительной изоляции на радиаторе.

Если нужна помощь в выборе аналога для конкретного применения, уточните условия работы (напряжение, ток, частота переключений).