IXYS MCD72-12IO1B

Описание

IXYS MCD72-12IO1B – это силовой модуль, содержащий два N-канальных MOSFET-транзистора в корпусе, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Индукционный нагрев
• Преобразователи частоты

Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (R_DS(on)) и быстрому переключению.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип транзисторов: 2 × N-канальные MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 12 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): ~1.2 Ом (типовое)
• Мощность рассеивания (P_D): до 200 Вт (с теплоотводом)
• Температура перехода (T_J): от -40°C до +150°C
• Корпус: Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный)

Динамические характеристики:

• Время включения (t_d(on)): ~20 нс
• Время выключения (t_d(off)): ~100 нс
• Заряд затвора (Q_g): ~50 нКл

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS MCD72-12IO1 (аналогичный модуль, возможно, с другими параметрами корпуса)
• IXYS MCD162-12IO1 (схожий модуль, но с другим током/напряжением)
• Infineon IRFP460 (отдельный MOSFET, может использоваться в схожих схемах)
• STMicroelectronics STW12N120 (альтернативный мощный MOSFET)

Совместимые модели в других сериях:

• IXYS VMO 1200V серии (например, VMO 28-12IO1)
• IXYS IXFN серии (высоковольтные MOSFET)

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется сверяться с даташитом производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от производителя и ревизии модуля.

Если вам нужна замена, уточните требования по току, напряжению и корпусу.