IXYS MDD172-16N1B

Описание

IXYS MDD172-16N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с защитным диодом, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Индукционный нагрев
• Инверторы

Ключевая особенность – низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери мощности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET + Diode | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1600 В | | Ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_DM) | 48 А | | Сопротивление R_DS(on) | 2.2 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 4.5 В (тип.) | | Мощность рассеяния (P_D) | 150 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл (тип.) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IXYS MDD172-16N1 (аналогичный, но без уточнения ревизии)
• IXYS MDD172-16N1A (предыдущая версия)

Совместимые модели (требуется проверка характеристик):

• Infineon IRFP460 (менее мощный, 500 В, 20 А)
• STMicroelectronics STW20NM60 (600 В, 20 А)
• IXYS IXFH20N60P (600 В, 20 А)
• Microsemi APT160GF120J (1200 В, 40 А) – для более высоких токов

Примечание

Перед заменой на аналог убедитесь в совпадении ключевых параметров: V_DSS, I_D, R_DS(on), а также корпуса. Для высокочастотных применений критична скорость переключения и заряд затвора.

Если требуется точный аналог, рекомендуется обратиться к документации IXYS (ныне часть Littelfuse).