IXYS MDD20018IO1

Описание:
IXYS MDD20018IO1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение (V_CE) | 1800 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 100°C) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 100 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 500 нс (тип.) | | Мощность рассеивания (P_D) | 600 Вт | | Корпус | TO-247 (или изолированный модуль) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Затвор-эмиттер напряжение (V_GE) | ±20 В |

Парт-номера и аналоги:

1. IXYS MDD20018IO1 (оригинал)
2. Infineon FF200R17KE4
3. STMicroelectronics STGW200H180D
4. Mitsubishi CM200DY-24H
5. Fuji Electric 2MBI200U2A-180

Совместимые модели:

Модуль может заменяться на аналоги с близкими параметрами (напряжение 1600-2000 В, ток 150-250 А). Подходит для ремонта:

• Преобразователей частоты (например, Danfoss VLT, ABB ACS800).
• Сварочных инверторов (ESAB, Fronius).
• Силовых инверторов в электромобилях и ВИЭ.

Примечание:
Перед заменой проверяйте распиновку и тепловые характеристики, так как у аналогов могут быть отличия в корпусе или схеме управления. Для точного подбора используйте даташиты.