IXYS MDD220-08N1

IXYS MDD220-08N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, моторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 2.5 A |
| Макс. ток стока (I_D) при 100°C | 1.6 A |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 8.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (P_D) | 50 Вт (при 25°C) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В |
| Емкость затвор-исток (C_iss) | 260 пФ |
| Емкость сток-исток (C_oss) | 45 пФ |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги от других производителей:

• IRF840 (International Rectifier) – 500 В, 8 А (менее мощный, но часто используется в схемах)
• STP8NM80 (STMicroelectronics) – 800 В, 8 А
• FQP8N80C (Fairchild/ON Semiconductor) – 800 В, 8 А
• IXFH8N80P (IXYS) – 800 В, 8 А

Похожие модели от IXYS:

• MDD280-16N1 (1600 В, 2.5 А)
• MDD210-14N1 (1400 В, 2.1 А)
• MDD250-10N1 (1000 В, 2.5 А)

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные преобразователи
• Системы управления мощностью

Особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и устойчивость к перегрузкам

Если нужны более точные аналоги или уточнения – укажите конкретные требования!