IXYS MDD255-18N1

Описание

IXYS MDD255-18N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диффузионным каналом (DMOS), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные сферы использования: импульсные источники питания, инверторы, драйверы двигателей, системы управления мощностью.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (VDSS = 1800 В)
• Большой ток стока (ID = 15 А)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 2.4 Ом)
• Быстрое переключение за счет низких зарядов затвора

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение сток-исток (VDSS) | 1800 В |
| Ток стока (ID) при 25°C | 15 А |
| Ток стока (ID) при 100°C | 9 А |
| Сопротивление RDS(on) (при VGS=15 В) | 2.4 Ом |
| Мощность рассеивания (PD) | 250 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Qg) | 110 нКл |
| Время включения (ton) / выключения (toff) | 45 нс / 150 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• IXYS MDD255-18N1

Прямые аналоги и совместимые модели:

• IXYS MDD255-16N1 (1600 В, аналогичные параметры)
• IXYS MDD350-18N1 (1800 В, 20 А, более мощный аналог)
• IXYS IXFH15N180 (1800 В, 15 А, схожие характеристики)
• STMicroelectronics STW18NK90Z (900 В, но часто используется в схожих схемах)
• Infineon IPW90R180C3 (1800 В, альтернатива с улучшенным RDS(on))

Важно: При замене учитывайте различия в характеристиках (особенно VDS, ID, RDS(on)) и проверяйте разводку выводов корпуса.

Если нужна дополнительная информация по применению или схемотехнике – уточните!